2017년 8월 1단계 투자로 3년간 8.1조 투자 계획 발표
1단계 3월 마무리, 2020년부터 9.5조 추가 투입
삼성전자가 中 산시성 시안 반도체 공장에 80억달러(약 9조5000억원)를 추가로 투자한다.
업계와 현지 언론에 따르면 최근 강봉용 삼성전자 부사장은 시안시 위원회 서기 등을 만나 “80억 달러 규모의 시안 제2공장 2단계 투자가 순조롭게 시작됐다”라고 말했다. 중국 시안 공장은 메모리반도체로는 유일한 삼성전자의 해외 생산기지다.
삼성전자는 지난 2017년 시안 반도체 2공장에 3년간 총 70억달러(약 8조1000억원)를 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 지난해 초 착공한 2공장은 이번 달 안으로 완공, 시험가동을 거쳐 내년 초 본격 가동될 예정이다. 2017년 진행된 1단계 투자가 2020년 3월 마무리되면, 이후 이번 자금 투입이 진행된다.
삼성전자의 시안 2공장에서는 메모리반도체 중에서도 주로 ‘V낸드 플래시’ 제품이 생산된다. ‘V낸드 플래시’는 일반 평면 낸드에 비해 집적도가 높아 용량은 크지만 크기는 더 작은 고효율제품으로 평가받고 있다.
이를 통해 삼성은 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI), 5G 등으로 크게 확대될 반도체 수요에 미리 대비할 것으로 보인다.
관련 업계에서는 이번 삼성전자의 중국에 대한 추가 투자가 사드 사태로 얼어붙었던 한중 관계 회복에 긍정적인 영향을 줄 수 있을 것으로 보고 있다. 앞서 지난 10월 리커창 중국 총리가 시안 공장을 방문하기도 했으며, 오는 23일에는 한·중·일 정상회의가 중국 청두에서 예정되어 있다.
또 내년 상반기에는 시진핑 중국 국가주석의 방한이 추진 중인 상황이다.
파이낸셜투데이 정진성 기자