3나노 GAA 공정 설계 키트 배포, 신개념 고성능 반도체 구현
SAFETM-Cloud 서비스 출시, 고성능 클라우드 환경 제공
삼성전자가 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 개최하고 ‘차세대 3나노 GAA 공정’과 새로운 고객 지원 프로그램 ‘SAFETM-Cloud’를 소개했다.
지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한 데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1)를 팹리스 고객들에게 배포했다고 밝혔다. 3나노 GAA 공정에서 1세대를 Early(얼리), 이후 성능과 전력이 개선된 2세대를 Plus(플러스)라고 칭한다.
공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.
삼성전자의 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45%가량 줄일 수 있다. 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다.
삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사에 제공할 계획이다. MBCFETTM은 기존 가늘고 긴 와이어 형태 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식이다. 성능과 전력효율을 높이는 것은 물론 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점이 있다.
또한 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFETM-Cloud 서비스도 시작한다.
해당 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(Microsoft), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스(Cadence), 시놉시스(Synopsys)와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.
팹리스 고객들은 이를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK), 설계 방법론(DM), 자동화 설계 툴(EDA), 설계 자산(라이브러리·IP) 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.
이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여명이 참가해 AI, 5G, 자율주행, IoT 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”며 “이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다”고 말했다.
한편 삼성전자는 전 세계 5개국에서 개최되는 ‘파운드리 포럼 2019’를 통해 파트너들과 유기적인 협력을 확대하며 ‘가장 신뢰받는 파운드리 회사(The Most Trusted Foundry)’로서의 비전을 실현해 나갈 계획이다.
파이낸셜투데이 배수람 기자